MOSFET - Array 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) A montaggio superficiale SOT-26
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XP2530AGY

Codice DigiKey
5048-XP2530AGYTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
5048-XP2530AGYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
5048-XP2530AGYDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
XP2530AGY
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) A montaggio superficiale SOT-26
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Produttore
YAGEO XSEMI
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4,5nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
320pF a 15V, 260pF a 15V
Stato componente
Obsoleto
Potenza - Max
1,136W (Ta)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Canale N e P
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore/involucro
SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
Contenitore del fornitore
SOT-26
RDSon (max) a Id, Vgs
72mohm a 3A, 10V, 150mohm a 2A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
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