Name: XP10TN028YT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN028YTTR-ND
Price: 1.0126 EUR
Availability: InStock

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XP10TN028YT
Codice DigiKey	5048-XP10TN028YTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP10TN028YTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP10TN028YTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP10TN028YT
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,5 A (Ta) 3,125W (Ta) A montaggio superficiale PMPAK® 3 x 3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 7A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP10TN028	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2160 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,125W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore PMPAK® 3 x 3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,18939	€ 568,17
6 000	€ 0,18694	€ 1 121,64

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,83000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,01260

XP10TN028YT