E3M0120090J Wolfspeed, Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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E3M0120090J
Codice DigiKey	1697-E3M0120090J-ND
Produttore	Wolfspeed, Inc.
Codice produttore	E3M0120090J
Descrizione	900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 22 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	E3M0120090J Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Wolfspeed, Inc.
Serie	E-Series
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V
RDSon (max) a Id, Vgs	155mohm a 15A, 15V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 15 V
Vgs (max)	+15V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	414 pF @ 600 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263-7
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Codice componente base	E3M0120090

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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50	€ 8,32720	€ 416,36
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