
CAB006A12GM3T | |
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Codice DigiKey | 1697-CAB006A12GM3T-ND |
Produttore | |
Codice produttore | CAB006A12GM3T |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montaggio su telaio Modulo |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | CAB006A12GM3T Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 6,9mohm a 200A, 15V |
Produttore Wolfspeed, Inc. | Vgs(th) max a Id 3,6V a 69mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 708nC a 15V |
Confezionamento Scatola | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20400pF a 800V |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Contenitore/involucro Modulo |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore del fornitore Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200A (Tj) | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | 28 | 448-FF6MR12W2M1HB11BPSA1-ND | € 125,48000 | Simile |
| NXH006P120M3F2PTHG | onsemi | 5 | 5556-NXH006P120M3F2PTHG-ND | € 131,07000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 207,96000 | € 207,96 |
| 18 | € 190,05889 | € 3 421,06 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 207,96000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 253,71120 |


