SUM85N03-06P-E3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

SUM85N03-06P-E3 è obsoleto e non è più in produzione.

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : € 1,94000

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SUM85N03-06P-E3
Codice DigiKey	SUM85N03-06P-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUM85N03-06P-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 85 A (Tc) 3,75W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3100 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 85 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SUM85
RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 20A, 10V