Name: SUD50P10-43L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50P10-43L-GE3TR-ND
Price: 3.7332 EUR
Availability: OutOfStock

SUD50P10-43L-GE3 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.

Sostituti disponibili:

Diretto

Vishay Siliconix

In magazzino: 4 012

Prezzo unitario : € 3,06000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SUD50P10-43L-GE3
Codice DigiKey	SUD50P10-43L-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD50P10-43L-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD50P10-43L-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUD50P10-43L-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	63 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 37,1 A (Tc) 8,3W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 160 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4600 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 8,3W (Ta), 136W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37,1 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SUD50
RDSon (max) a Id, Vgs 43mohm a 9,2 A, 10V