Name: SUD09P10-195-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD09P10-195-GE3TR-ND
Price: 1.4396 EUR
Availability: InStock

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SUD09P10-195-GE3
cms-digikey-product-number	SUD09P10-195-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD09P10-195-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD09P10-195-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SUD09P10-195-GE3
cms-description	MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
cms-standard-lead-time	20 settimane
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canale P 100 V 8,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	195mohm a 3,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1055 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 32,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SUD09