
SUD09P10-195-GE3 | |
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Codice DigiKey | SUD09P10-195-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD09P10-195-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD09P10-195-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SUD09P10-195-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 11 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 8,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 195mohm a 3,6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 34.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1055 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,17000 | € 1,17 |
| 10 | € 0,74200 | € 7,42 |
| 100 | € 0,49130 | € 49,13 |
| 500 | € 0,38374 | € 191,87 |
| 1 000 | € 0,34913 | € 349,13 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,32001 | € 640,02 |
| 4 000 | € 0,31041 | € 1 241,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,17000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,42740 |









