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SQS944ENW-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQS944ENW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQS944ENW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQS944ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQS944ENW-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 6 A (Tc) 27,8W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerPAK® 1212-8W doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQS944ENW-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 615pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 27,8W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8W doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8W doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 1,25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,53000 | € 1,53 |
| 10 | € 0,97100 | € 9,71 |
| 100 | € 0,65040 | € 65,04 |
| 500 | € 0,51264 | € 256,32 |
| 1 000 | € 0,46831 | € 468,31 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,41201 | € 1 236,03 |
| 6 000 | € 0,38368 | € 2 302,08 |
| 9 000 | € 0,36925 | € 3 323,25 |
| 15 000 | € 0,35305 | € 5 295,75 |
| 21 000 | € 0,35218 | € 7 395,78 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,53000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,86660 |
