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SQJQ410EL-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJQ410EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJQ410EL-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 135 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJQ410EL-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,4mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 150 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 7350 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 8 x 8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 8 725
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,46000 | € 3,46 |
| 10 | € 2,27800 | € 22,78 |
| 100 | € 1,60140 | € 160,14 |
| 500 | € 1,43906 | € 719,53 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 1,17571 | € 2 351,42 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,22120 |
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