Name: SQJQ936E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ936E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.0992 EUR
Availability: InStock

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SQJQ936E-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQJQ936E-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJQ936E-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJQ936E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJQ936E-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 100 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJQ936E-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 113nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6600pF a 25V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 75W (Tc)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro PowerPAK® 8 x 8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 5A, 10V	Codice componente base SQJQ936
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA

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In magazzino: 1 828

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,08785	€ 2 175,70
4 000	€ 1,03210	€ 4 128,40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,09920

SQJQ936E-T1_GE3