Name: SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ466E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.0016 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SQJQ466E-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJQ466E-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJQ466E-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJQ466E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJQ466E-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 200 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJQ466E-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,9mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	10210 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 8 x 8
Contenitore/involucro	PowerPAK® 8 x 8
Codice componente base	SQJQ466