Name: SQJB70EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB70EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.6348 EUR
Availability: InStock

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SQJB70EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJB70EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJB70EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJB70EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJB70EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 11,3 A (Tc) 27W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJB70EP-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 220pF a 25V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 27W (Tc)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,3 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 95mohm a 4A, 10V	Codice componente base SQJB70
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA