SQJA60EP-T1_BE3
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SQJB02ELP-T1_GE3

Codice DigiKey
742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJB02ELP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 30 A (Tc) 27W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
7,5mohm a 6 A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1700pF a 20V
Potenza - Max
27W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
SQJB02
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In magazzino: 19 635
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,41000€ 1,41
10€ 0,89000€ 8,90
100€ 0,59470€ 59,47
500€ 0,46798€ 233,99
1 000€ 0,42720€ 427,20
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,37543€ 1 126,29
6 000€ 0,34937€ 2 096,22
9 000€ 0,34095€ 3 068,55
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,41000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,72020