Equivalente parametrico

SQJA36EP-T1_JE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SQJA36EP-T1_JE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SQJA36EP-T1_JE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 350 A (Tc) 500W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 107 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6636 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,24mohm a 15A, 10V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJA36EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 5 786 | 742-SQJA36EP-T1_GE3CT-ND | € 2,46000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,68582 | € 2 057,46 |
| 6 000 | € 0,67126 | € 4 027,56 |
| 9 000 | € 0,66396 | € 5 975,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,68582 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,83670 |


