Name: SQJ974EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ974EP-T1_BE3TR-ND
Price: 2.0252 EUR
Availability: InStock

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SQJ974EP-T1_BE3
Codice DigiKey	742-SQJ974EP-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ974EP-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ974EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ974EP-T1_BE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 30 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1050pF a 25V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 48W (Tc)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 25,5mohm a 10A, 10V	Codice componente base SQJ974
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA