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SQJ940EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ940EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ940EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ940EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ940EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 15 A (Ta), 18 A (Tc) 48W, 43W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 896pF a 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 48W, 43W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Ta), 18 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico |
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 15A, 10V | Codice componente base |
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In magazzino: 7 955
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,82000 | € 1,82 |
| 10 | € 1,15900 | € 11,59 |
| 100 | € 0,78310 | € 78,31 |
| 500 | € 0,62188 | € 310,94 |
| 1 000 | € 0,57004 | € 570,04 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,50422 | € 1 512,66 |
| 6 000 | € 0,47111 | € 2 826,66 |
| 9 000 | € 0,45425 | € 4 088,25 |
| 15 000 | € 0,44567 | € 6 685,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,22040 |
