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SQJ570EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ570EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) 27W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ570EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 10V, 15nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650pF a 25V, 600pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 27W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 6A, 10V, 146mohm a 6A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 5 624
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,59000 | € 1,59 |
| 10 | € 1,00900 | € 10,09 |
| 100 | € 0,67650 | € 67,65 |
| 500 | € 0,53404 | € 267,02 |
| 1 000 | € 0,48822 | € 488,22 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,43002 | € 1 290,06 |
| 6 000 | € 0,40073 | € 2 404,38 |
| 9 000 | € 0,38582 | € 3 472,38 |
| 15 000 | € 0,37024 | € 5 553,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,59000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,93980 |
