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SQJ560EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ560EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ560EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ560EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ560EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 30 A (Tc), 18 A (Tc) 34W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ560EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V, 45nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1650pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 34W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc), 18 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 10A, 10V, 52,6mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 32 712
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,84000 | € 1,84 |
| 10 | € 1,17800 | € 11,78 |
| 100 | € 0,79610 | € 79,61 |
| 500 | € 0,63262 | € 316,31 |
| 1 000 | € 0,58005 | € 580,05 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,51332 | € 1 539,96 |
| 6 000 | € 0,47975 | € 2 878,50 |
| 9 000 | € 0,46265 | € 4 163,85 |
| 15 000 | € 0,45501 | € 6 825,15 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,84000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,24480 |
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