SQJA72EP-T1_GE3
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SQJ465EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ465EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ465EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
SQJ465EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 8 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ465EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
85mohm a 3,5A, 10V, 1,17mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1140 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
45W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 6 485
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,62000€ 1,62
10€ 1,03200€ 10,32
100€ 0,69500€ 69,50
500€ 0,55038€ 275,19
1 000€ 0,50876€ 508,76
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,44482€ 1 334,46
6 000€ 0,41566€ 2 493,96
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,62000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,97640