
SQJ465EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ465EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ465EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ465EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 8 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ465EP-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 85mohm a 3,5A, 10V, 1,17mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1140 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TA) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,62000 | € 1,62 |
| 10 | € 1,03200 | € 10,32 |
| 100 | € 0,69500 | € 69,50 |
| 500 | € 0,55038 | € 275,19 |
| 1 000 | € 0,50876 | € 508,76 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,44482 | € 1 334,46 |
| 6 000 | € 0,41566 | € 2 493,96 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,97640 |






