
SQJ402EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ402EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ402EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ402EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ402EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ402EP-T1_GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 51 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2289 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,99000 | € 1,99 |
| 10 | € 1,27200 | € 12,72 |
| 100 | € 0,86600 | € 86,60 |
| 500 | € 0,69210 | € 346,05 |
| 1 000 | € 0,67157 | € 671,57 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,56518 | € 1 695,54 |
| 6 000 | € 0,54867 | € 3 292,02 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,42780 |




