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SQD70140EL_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQD70140EL_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQD70140EL_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SQD70140EL_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 30 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQD70140EL_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 15mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 6 213
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,59000 | € 1,59 |
| 10 | € 1,01100 | € 10,11 |
| 100 | € 0,67850 | € 67,85 |
| 500 | € 0,53568 | € 267,84 |
| 1 000 | € 0,48973 | € 489,73 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,45108 | € 902,16 |
| 4 000 | € 0,41858 | € 1 674,32 |
| 6 000 | € 0,40203 | € 2 412,18 |
| 10 000 | € 0,38344 | € 3 834,40 |
| 14 000 | € 0,37243 | € 5 214,02 |
| 20 000 | € 0,37162 | € 7 432,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,59000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,93980 |
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