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SQD50N04-5M6_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQD50N04-5M6_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SQD50N04-5M6_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 50 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQD50N04-5M6_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 85 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4000 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,6mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQD50N04-5M6_T4GE3 | Vishay Siliconix | 1 093 | SQD50N04-5M6_T4GE3CT-ND | € 2,01000 | Equivalente parametrico |
| FDD8453LZ | onsemi | 0 | FDD8453LZCT-ND | € 1,55000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,69971 | € 1 399,42 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,69971 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,85365 |
