Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3TR-ND
Price: 2.4278 EUR
Availability: InStock

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SQD10N30-330H_GE3
Codice DigiKey	SQD10N30-330H_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQD10N30-330H_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQD10N30-330H_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQD10N30-330H_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 300 V 10 A (Tc) 107W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 47 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±30V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2190 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 300 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 330mohm a 14A, 10V	Codice componente base SQD10
Vgs(th) max a Id 4,4V a 250µA