Name: SQA602CEJW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQA602CEJW-T1_GE3TR-ND
Price: 0.7442 EUR
Availability: InStock

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SQA602CEJW-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQA602CEJW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQA602CEJW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQA602CEJW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQA602CEJW-T1_GE3
Descrizione	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Tempi di consegna standard del produttore	53 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 5,63A (Tc) 13,6W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerPAK®SC-70W-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQA602CEJW-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.2 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 355 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 13,6W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,63A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerPAK®SC-70W-6
RDSon (max) a Id, Vgs 94mohm a 3A, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6

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In magazzino: 12 000

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,61000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,74420

SQA602CEJW-T1_GE3