Name: SQA470CEJW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQA470CEJW-T1_GE3TR-ND
Price: 0.732 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SQA470CEJW-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQA470CEJW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQA470CEJW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQA470CEJW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQA470CEJW-T1_GE3
Descrizione	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Tempi di consegna standard del produttore	53 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2,25 A (Tc) 13,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 13,6W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,25 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6
RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 3A, 4,5V	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQA470EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	4 910	742-SQA470EJ-T1_GE3CT-ND	€ 0,83000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,60000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,73200

SQA470CEJW-T1_GE3