Name: SQA410EJ-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQA410EJ-T1_GE3TR-ND
Price: 1.0492 EUR
Availability: InStock

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SQA410EJ-T1_GE3
Codice DigiKey	SQA410EJ-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQA410EJ-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQA410EJ-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQA410EJ-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 7,8 A (Tc) 13,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 singolo
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQA410EJ-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	485 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	13,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SC-70-6 singolo
Contenitore/involucro	PowerPAK® SC-70-6
Codice componente base	SQA410