Name: SIHK125N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHK125N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.6734 EUR
Availability: InStock

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SIHK125N60E-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIHK125N60E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIHK125N60E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIHK125N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHK125N60E-T1-GE3
Descrizione	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 21 A (Tc) 132W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK®10 x 12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 12A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Serie E	Carica del gate (Qg) max a Vgs 44 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1811 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 132W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK®10 x 12
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerBSFN

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,99514	€ 3 990,28

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,47000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,67340

SIHK125N60E-T1-GE3