Name: SQ4470EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4470EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.6596 EUR
Availability: InStock

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SQ4470EY-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ4470EY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ4470EY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ4470EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ4470EY-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 16 A (Tc) 7,1W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3165 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 7,1W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 6A, 10V	Codice componente base SQ4470
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA