Name: SQ4431EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4431EY-T1_GE3TR-ND
Price: 1.891 EUR
Availability: InStock

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SQ4431EY-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ4431EY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ4431EY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ4431EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ4431EY-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 10,8 A (Tc) 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1265 pF @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 6W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,8 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 6A, 10V	Codice componente base SQ4431
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA