Name: SQ3989EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ3989EV-T1_GE3TR-ND
Price: 0.9028 EUR
Availability: InStock

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SQ3989EV-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ3989EV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ3989EV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ3989EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ3989EV-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,5 A (Tc) 1,67W A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali P (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,5 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	155mohm a 400mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11,1nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	-
Potenza - Max	1,67W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Codice componente base	SQ3989

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Nastrato in bobina (TR)