Name: SQ2398ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2398ES-T1_GE3TR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: InStock

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SQ2398ES-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ2398ES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ2398ES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ2398ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2398ES-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1,6 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.4 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 152 pF @ 50 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,6 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 300mohm a 1,5A, 10V	Codice componente base SQ2398
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)