Name: SQ2361CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2361CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.7442 EUR
Availability: InStock

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SQ2361CES-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQ2361CES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ2361CES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ2361CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2361CES-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 2,8 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,8 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
RDSon (max) a Id, Vgs 177mohm a 2,4A, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,61000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,74420

SQ2361CES-T1_GE3