
SIZF4800LDT-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZF4800LDT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 3x3FS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZF4800LDT-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 80V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 10 A (Ta), 36 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 19mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 950pF a 40V | |
Potenza - Max | 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 12-PowerPair™ | |
Contenitore del fornitore | PowerPAIR® 3x3FS |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,02000 | € 2,02 |
| 10 | € 1,29700 | € 12,97 |
| 100 | € 0,88410 | € 88,41 |
| 500 | € 0,70710 | € 353,55 |
| 1 000 | € 0,68915 | € 689,15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,57797 | € 1 733,91 |
| 6 000 | € 0,56303 | € 3 378,18 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,02000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,46440 |



