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SIZF4800LDT-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZF4800LDT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 3x3FS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZF4800LDT-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 10A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 950pF a 40V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80V | Contenitore/involucro 12-PowerPair™ |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta), 36 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAIR® 3x3FS |
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In magazzino: 7 155
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,12000 | € 2,12 |
| 10 | € 1,36600 | € 13,66 |
| 100 | € 0,93080 | € 93,08 |
| 500 | € 0,74450 | € 372,25 |
| 1 000 | € 0,68459 | € 684,59 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,60855 | € 1 825,65 |
| 6 000 | € 0,57030 | € 3 421,80 |
| 9 000 | € 0,55403 | € 4 986,27 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,12000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,58640 |
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