Name: SIZ918DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ918DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.7206 EUR
Availability: InStock

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SIZ918DT-T1-GE3
Codice DigiKey	SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIZ918DT-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 16 A, 28 A 29W, 100W A montaggio superficiale 8-PowerPair® (6x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIZ918DT-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 13,8A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 29W, 100W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-PowerPair® (6x5)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A, 28 A	Codice componente base SIZ918