Name: SIZ342BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ342BDT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3054 EUR
Availability: InStock

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SIZ342BDT-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIZ342BDT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZ342BDT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZ342BDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIZ342BDT-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 15,4A (Ta), 32,9A (Tc) 3,7W (Ta), 16,7W (Tc) A montaggio superficiale 8-Power33 (3x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 9,65mohm a 10A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12,6nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 3,7W (Ta), 16,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N, sorgente comune (semiponte)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,4A (Ta), 32,9A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-Power33 (3x3)

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,07000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,30540

SIZ342BDT-T1-GE3