
SIZ270DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIZ270DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZ270DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZ270DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZ270DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 7,1A (Ta), 19,5A (Tc), 6,9A (Ta), 19,1A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZ270DT-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 860pF a 50V, 845pF a 50V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 4,3W (Ta), 33W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro 8-PowerWDFN |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore del fornitore 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,1A (Ta), 19,5A (Tc), 6,9A (Ta), 19,1A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 37,7mohm a 7A, 10V, 39,4mohm a 7A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,90000 | € 1,90 |
| 10 | € 1,21900 | € 12,19 |
| 100 | € 0,82530 | € 82,53 |
| 500 | € 0,65676 | € 328,38 |
| 1 000 | € 0,60259 | € 602,59 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,53382 | € 1 601,46 |
| 6 000 | € 0,49923 | € 2 995,38 |
| 9 000 | € 0,48161 | € 4 334,49 |
| 15 000 | € 0,47616 | € 7 142,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,31800 |

