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SIZ250DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZ250DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZ250DT-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 21nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 840pF a 30V, 790pF a 30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 4,3W (Ta), 33W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro 8-PowerWDFN |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14A (Ta), 38A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12,2mohm a 10A, 10V, 12,7mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 17 448
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,70000 | € 1,70 |
| 10 | € 1,08300 | € 10,83 |
| 100 | € 0,72840 | € 72,84 |
| 500 | € 0,57678 | € 288,39 |
| 1 000 | € 0,52799 | € 527,99 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,46605 | € 1 398,15 |
| 6 000 | € 0,43489 | € 2 609,34 |
| 9 000 | € 0,41902 | € 3 771,18 |
| 15 000 | € 0,40668 | € 6 100,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,07400 |
