Name: SIUD402ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIUD402ED-T1-GE3TR-ND
Price: 0.4026 EUR
Availability: InStock

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SIUD402ED-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIUD402ED-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIUD402ED-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIUD402ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIUD402ED-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 1 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® 0806
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIUD402ED-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	730mohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.2 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	16 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 0806
Contenitore/involucro	PowerPAK® 0806
Codice componente base	SIUD402

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Nastrato in bobina (TR)