
SISS98DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS98DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS98DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS98DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS98DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 14,1 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS98DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 105mohm a 7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14 nC @ 7.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 608 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,39000 | € 1,39 |
| 10 | € 0,87900 | € 8,79 |
| 100 | € 0,58690 | € 58,69 |
| 500 | € 0,46156 | € 230,78 |
| 1 000 | € 0,42124 | € 421,24 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,37005 | € 1 110,15 |
| 6 000 | € 0,34428 | € 2 065,68 |
| 9 000 | € 0,33522 | € 3 016,98 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,69580 |





