Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.7572 EUR
Availability: InStock

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SISS5623DN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISS5623DN-T1-GE3
Descrizione	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SISS5623DN-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,6V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1575 pF @ 30 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,5A (Ta), 36,3A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8S
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 10A, 10V	Codice componente base SISS5623