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SISS52DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS52DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 47,1A (Ta), 162A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS52DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +16V, -12V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2950 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2mohm a 20A, 10V |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,55000 | € 1,55 |
| 10 | € 0,98200 | € 9,82 |
| 100 | € 0,65820 | € 65,82 |
| 500 | € 0,51896 | € 259,48 |
| 1 000 | € 0,47418 | € 474,18 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,41732 | € 1 251,96 |
| 6 000 | € 0,38871 | € 2 332,26 |
| 9 000 | € 0,37413 | € 3 367,17 |
| 15 000 | € 0,35777 | € 5 366,55 |
| 21 000 | € 0,35749 | € 7 507,29 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,55000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,89100 |
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