
SISHA14DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISHA14DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISHA14DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISHA14DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISHA14DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 19,7A (Ta), 20A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1450 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,1mohm a 10A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,05000 | € 1,05 |
| 10 | € 0,66200 | € 6,62 |
| 100 | € 0,43510 | € 43,51 |
| 500 | € 0,33742 | € 168,71 |
| 1 000 | € 0,30596 | € 305,96 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,26600 | € 798,00 |
| 6 000 | € 0,24589 | € 1 475,34 |
| 9 000 | € 0,23564 | € 2 120,76 |
| 15 000 | € 0,22413 | € 3 361,95 |
| 21 000 | € 0,21731 | € 4 563,51 |
| 30 000 | € 0,21069 | € 6 320,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,28100 |










