Name: SISH410DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH410DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7812 EUR
Availability: InStock

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SISH410DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISH410DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH410DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH410DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISH410DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 22 A (Ta), 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SISH410DN-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Ta), 35 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8SH
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SISH410
RDSon (max) a Id, Vgs 4,8mohm a 20A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,46000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,78120

SISH410DN-T1-GE3