Name: SISH108DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH108DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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SISH108DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISH108DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH108DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH108DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISH108DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 14 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SISH108DN-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 4,9mohm a 22A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen II	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±16V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Ta)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8SH
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SISH108

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,99000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,20780

SISH108DN-T1-GE3