PowerPAK 1212-8SCD-Dual
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SISF20DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SISF20DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Tempi di consegna standard del produttore
29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen IV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
14 A (Ta), 52 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
13mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1290pF a 30V
Potenza - Max
5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Codice componente base
SISF20
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,00000€ 2,00
10€ 1,28400€ 12,84
100€ 0,87460€ 87,46
500€ 0,69920€ 349,60
1 000€ 0,67989€ 679,89
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,57124€ 1 713,72
6 000€ 0,55547€ 3 332,82
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,00000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,44000