Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.684 EUR
Availability: OutOfStock

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SISF20DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISF20DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33nC a 10V
Serie TrenchFET® Gen IV	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1290pF a 30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Ta), 52 A (Tc)	Codice componente base SISF20
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 7A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,59289	€ 1 778,67
6 000	€ 0,58123	€ 3 487,38

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,20000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,68400

SISF20DN-T1-GE3