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SISF00DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISF00DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SCD doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 53nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2700pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 69,4W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione Drain comune a 2 canali N (duale) | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8SCD doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SCD doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 24 070
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,07000 | € 2,07 |
| 10 | € 1,32800 | € 13,28 |
| 100 | € 0,90360 | € 90,36 |
| 500 | € 0,72180 | € 360,90 |
| 1 000 | € 0,66336 | € 663,36 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,58919 | € 1 767,57 |
| 6 000 | € 0,55188 | € 3 311,28 |
| 9 000 | € 0,53374 | € 4 803,66 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,07000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,52540 |
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