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SISA26DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISA26DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISA26DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISA26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISA26DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 60 A (Tc) 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISA26DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 44 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +16V, -12V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2247 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 25 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,65mohm a 15A, 10V |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,25000 | € 1,25 |
| 10 | € 0,78900 | € 7,89 |
| 100 | € 0,52230 | € 52,23 |
| 500 | € 0,40806 | € 204,03 |
| 1 000 | € 0,37126 | € 371,26 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,32453 | € 973,59 |
| 6 000 | € 0,30101 | € 1 806,06 |
| 9 000 | € 0,28903 | € 2 601,27 |
| 15 000 | € 0,27557 | € 4 133,55 |
| 21 000 | € 0,26760 | € 5 619,60 |
| 30 000 | € 0,26602 | € 7 980,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,25000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,52500 |
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