
SIS903DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS903DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS903DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 20,1mohm a 5A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2565pF a 10V | |
Potenza - Max | 2,6W (Ta), 23W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,30000 | € 1,30 |
| 10 | € 0,82100 | € 8,21 |
| 100 | € 0,54650 | € 54,65 |
| 500 | € 0,42862 | € 214,31 |
| 1 000 | € 0,39066 | € 390,66 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,34247 | € 1 027,41 |
| 6 000 | € 0,31821 | € 1 909,26 |
| 9 000 | € 0,30607 | € 2 754,63 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,58600 |











