SIS903DN-T1-GE3
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SIS903DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIS903DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIS903DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
20,1mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2565pF a 10V
Potenza - Max
2,6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8 doppio
Codice componente base
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In magazzino: 8 322
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,30000€ 1,30
10€ 0,82100€ 8,21
100€ 0,54650€ 54,65
500€ 0,42862€ 214,31
1 000€ 0,39066€ 390,66
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,34247€ 1 027,41
6 000€ 0,31821€ 1 909,26
9 000€ 0,30607€ 2 754,63
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,58600