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SIS903DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS903DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS903DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2565pF a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 20,1mohm a 5A, 4,5V |
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In magazzino: 25 527
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,55000 | € 1,55 |
| 10 | € 0,97900 | € 9,79 |
| 100 | € 0,65590 | € 65,59 |
| 500 | € 0,51706 | € 258,53 |
| 1 000 | € 0,47242 | € 472,42 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,41573 | € 1 247,19 |
| 6 000 | € 0,38720 | € 2 323,20 |
| 9 000 | € 0,37267 | € 3 354,03 |
| 15 000 | € 0,35635 | € 5 345,25 |
| 21 000 | € 0,35590 | € 7 473,90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,55000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,89100 |
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