Name: SIS888DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS888DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.4156 EUR
Availability: InStock

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SIS888DN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIS888DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS888DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS888DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIS888DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 20,2 A (Tc) 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,2V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14.5 nC @ 10 V
Serie ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 420 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TA)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20,2 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SIS888
RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 10A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,98000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,41560

SIS888DN-T1-GE3